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Intel美光联军兵临城下三星3DNAND恐痛失霸主地位

发布日期:2021-01-01 05:49浏览次数:
前有伏击、后有逃走,三星电子3DNANDflash的霸主宝座将要拱手让人?据理解,美光(Micron)和英特尔(Intel)合力研发3DNAND进展神速,有可能今年底就不会一脚踢进三星,攀上王座。  据报导,美光和英特尔的新加坡合资工厂,今年第一季早已开始量产3DNANDflash,目前每月产量为3,000片,预料年内可纳升到每月4万片。

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  与此同时,英特尔沈阳厂也将在今年底生产能力魔幻,预计两家美厂的3DNAND生产能力将压过三星。三星3DNAND每月生产能力大约在2万~4万片之间,大约占到三星总体NAND生产能力的9~18%。  美光/英特尔3DNAND技术的平稳速度快于预期。三星劲敌不只美厂,日厂东芝(Toshiba)和韩厂SK海力士(SKHynix)也来势汹汹。SK海力士的3DNAND月底Q2销售,下半年将大力跃进,计划从当前的每月2千片、Q4减至每月2万片。

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  专家认为,尽管三星3DNAND技术领先输掉3年,各方跃进之下,技术差距已毫无意义,明年3DNAND扩产大战将更为白热化,三星有可能会新建产线,以提升生产力居多,应付战局。  美光5月31日终场跳涨了3.

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